產(chǎn)品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達(dá)林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應(yīng)模塊
- IR可控硅
新聞詳情
IGBT模塊溫升快，效率低怎么解決?
日期：2025-04-30 20:46
瀏覽次數(shù)：1011
摘要：
IGBT模塊發(fā)熱的原因
由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過程要產(chǎn)生功率損耗即內(nèi)損耗，內(nèi)損耗引起發(fā)熱，溫度上升，IGBT溫度高低與器件內(nèi)損耗大小、芯片到環(huán)境的傳熱結(jié)構(gòu)、材料和器件冷卻方式以及環(huán)境溫度等有關(guān)。當(dāng)發(fā)熱和散熱相等時，器件達(dá)到穩(wěn)定溫升，處于均衡狀態(tài)，即穩(wěn)態(tài)。器件的芯片溫度不論在穩(wěn)態(tài)，還是在瞬態(tài)，都不允許超過器件允許工作溫度，即IGBT結(jié)溫，否則，將引起器件電或熱的不穩(wěn)定而導(dǎo)致器件失效。
IGBT模塊發(fā)熱，效率低解決方法
1、減小柵極電阻，可加快開關(guān)器件通斷，減小...
IGBT模塊發(fā)熱的原因
由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過程要產(chǎn)生功率損耗即內(nèi)損耗，內(nèi)損耗引起發(fā)熱，溫度上升，IGBT溫度高低與器件內(nèi)損耗大小、芯片到環(huán)境的傳熱結(jié)構(gòu)、材料和器件冷卻方式以及環(huán)境溫度等有關(guān)。當(dāng)發(fā)熱和散熱相等時，器件達(dá)到穩(wěn)定溫升，處于均衡狀態(tài)，即穩(wěn)態(tài)。器件的芯片溫度不論在穩(wěn)態(tài)，還是在瞬態(tài)，都不允許超過器件允許工作溫度，即IGBT結(jié)溫，否則，將引起器件電或熱的不穩(wěn)定而導(dǎo)致器件失效。
IGBT模塊發(fā)熱，效率低解決方法
1、減小柵極電阻，可加快開關(guān)器件通斷，減小開關(guān)損耗從而降低溫度，但不要太小 具體需要調(diào)試；
2、加適當(dāng)阻容吸收電路；
3、檢查硅膠涂抹、即散熱片、風(fēng)扇等問題。
尊敬的客戶：
您好，我司是一支技術(shù)力量雄厚的高素質(zhì)的開發(fā)群體，為廣大用戶提供高品質(zhì)產(chǎn)品、完整的解決方案和技術(shù)服務(wù)公司。
本企業(yè)堅持以誠信立業(yè)、以品質(zhì)守業(yè)、以進(jìn)取興業(yè)的宗旨，以更堅定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動化行業(yè)作出貢獻(xiàn)，歡迎新老顧客放心選購自己心儀的產(chǎn)品。我們將竭誠為您服務(wù)！
